书籍介绍：
前言
    本教材系按中国电子工业总公司的工科电子类专业教材1991～1995年编审出版规划，由“电子材料与固体器件”教材编审委员会“半导体物理与器件”编审小组征稿，推荐出版，责任编委李卫。
    本教材由西安交通大学刘恩科担任主编，西安电子科技大学周南生担任主审。
    本教材第一版于1979年12月由国防工业出版社出版。第二版于1984年5月由上海科学技术出版社出版。1987年12月获电子工业部1977年～1985年工科电子类专业优秀教材特等奖，1988年1月获全国高等学校优秀教材奖。第三版于1989年5月由国防工业出版社出版，1992年1月获第二届机械电子工业部电子类专业优秀教材特等奖，1992年11月获第二届普通高等学校优秀教材全国特等奖。
    本课程参考学时数为120学时。本教材共13章，其主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态，杂质和缺陷能级，载流子的统计分布，载流子的散射及电导问题，非平衡载流子产生、复合及其运动规律，半导体的表面和界面——包括P－n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结，半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。
    按照“半导体物理与器件”编审小组的意见，本教材在第二次修订适当增加一些新内容，如四元化合物半导体的能带、半导体超晶格、二维电子气、朗道能级、磁光吸收、量子化霍耳效应、非晶态半导体的基础上，这次修订又作了如下补充：第一章适当增加了＊；xGex能带和D－VI族化合物半导体的晶格结构和能带；第五章增加了俄歇复合；第八章增加了深耗尽和二维电子气概念；第九章适当深化二维电子气内容；第十章简要介绍室温激子；第二、九章补充了思考题和习题；根据半导体研究的进展修改了一些不合适的内容，如第一、四章中砷化像导带第二极小值、第八章中硅一二氧化硅系统界面态密度分布等内容。
    本教材使用时应以前九章为主。第十至十二章各校自行掌握，可以光学效应为主。非晶态半导体可视情况而定。除进行课堂讲授外，可辅以必要的习题课和课堂讨论。   本教材由刘恩科编写第一、四、十一、十二章；朱秉升编写第二、三、六、九章；罗晋生编写第八、十三章；亢润民编写第五、七章；屠善洁编写第十章。附录由刘恩科、亢润民整理。刘恩科统编全稿。第二次和这次均由刘恩科修订第一、四、七、十、十一、十二章和第九章部分内容；朱秉升修订第二、三、五、六、九章；罗晋生修订第八、十三章。主审和编审小组全体委员都为本书提出许多宝贵意见，这里表示诚挚的感谢。由于编者水平有限，书中难免还
存在一些缺点和错误，殷切希望广大读者批评指正