2014年微电子学与固体电子学综合

第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）

一、考试的总体要求

“半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括”微电子器件基础（晶体管原理）”、”半导体集成电路”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

二、考试内容及比例

（一）微电子器件基础（晶体管原理）（45%）

1、PN结及二极管 （1）PN结基本结构和偏置；（2）PN结电流及非理想因素；（3）PN结击穿机理。

2、双极晶体管 （1）双极晶体管中的工作原理；（2）晶体管电流增益；

（3）非理想效应；（4）等效电路和频率特性。

3、金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础

（1）双端MOS结构；（2）MOSFET基本工作原理；（3）信号限制特性。

4、金属-氧化物-半导体场效应晶体管概念深入

（1）非理想效应；（2）阈值电压的修正；（3）附加电学效应。

（二）半导体集成电路（55%）

五、参考书目

1、半导体物理与器件，美 Neamen著，赵毅强等译，电子工业出版社；

2、微电子技术基础，曹培栋编著，电子工业出版社；

3、数字集成电路—电路、系统与设计，周润德等译，电子工业出版社；

4、半导体集成电路、朱正涌编著，清华大学出版社。

2015年微电子学与固体电子学综合

第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）

 一、考试的总体要求

“半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括”半导体特种效应”、”半导体集成电路”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

二、考试内容及比例

（一）半导体特种效应（40%）

1、半导体异质结：异质结概念及能带图，异质结锗硅双极晶体管的结构、性能特点与原因，高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与原因；

2、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概 念与应用，半导体激光基本原理；

3、半导体霍尔效应、半导体热电效应及其应用、半导体压阻效应。

（二）半导体集成电路（60%）

五、参考书目

1、半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。

2、半导体物理与器件，美 Neamen著，赵毅强等译，电子工业出版社；

3、数字集成电路—电路、系统与设计，周润德等译，电子工业出版社；

4、半导体集成电路、朱正涌编著，清华大学出版社。

总结：1、考试内容及比例：第一部分由2014年的“微电子器件基础”改为2015年的“半导体特种效应”，比例变为40%；“半导体集成电路”的比例由2014年的55%改为2015年的60%；2、参考书目有所变化；具体见上表红色字体部分。