天津大学微电子学与固体电子学专业在全国排名第13。水平等级A，并且分数线并不高。微电子产业是现代电子信息产业的核心与基石，是支撑社会经济发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。我国的微电子产业发展极为迅猛，亟需培养一大批高素质人才。天津大学是国家集成电路人才培养基地。据统计，日后就业方向大多数汉王科技股份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、华润上华科技有限公司、华为技术有限公司、天津国芯科技有限公司、威盛电子（中国）有限公司、中国电子科技集团公司第13研究所或者出国等。

天津大学微电子学与固体电子学专业是一级电子科学与技术学下的二级学科。微电子学与固体电子学专业是电子科学与技术的重要学科方向。本专业以培养集成电路设计理论与技术研究和应用的高级人才为目标，以工业应用为背景。因此，通信、电子、控制、计算机、电气工程等专业等专业的本科毕业生均可报考。本专业配备有集成电路设计实验室、集成电路测试实验室、工作实验室、研究生专业实验室等，提供了各种与本专业培养方向有关的实验技术与手段。本专业的硕士研究生在学习期间，需要学习现代电路理论、现在电子技术、半导体器件物理基础及工艺、集成电路设计基本理论、集成电路验证的理论与方法、SOC设计方法等专业课程。同时还必须选修有关通信、控制、电气工程、生物医学工程或计算机工程等专业的相关课程。

天津考研网分析天津大学微电子学与固体电子学考研参考书目与考试科目，详情如下：
    815信号与系统
《信号与线性系统分析（第四版）》，吴大正主编，高等教育出版社。
一、研究方向及硕士指导教师：本专业下设两个培养方向：
1、固体电子技术方向：
主要研究方向有：（1）功能材料与元器件；（2）敏感材料与器件；（3）薄膜理论与技术；硕士指导教师：吴霞宛方向（1）谢道华方向（1）吴顺华方向（1）刘仲娥方向（1）吴裕功方向（1）李玲霞方向（1）张之圣方向（2）（3）胡明方向（2）（3）包兴方向（1）（2）祖光裕方向（1）（2）吕玉芳方向（1）（2）
2、微电子技术方向：
主要研究方向有：（4）半导体新型器件与集成电路；（5）集成传感器与微电子机械系统；（6）超大规模集成电路设计；（7）纳米硅技术研究及应用（特聘教授研究方向）。硕士指导教师：姚素英、李树荣、毛陆虹、梁惠来、张生才、申云琴、张世林、李斌桥。
二、专业特点：

本专业强调拓宽专业培养口径，优化知识结构，加强实践环节，注重创新能力的培养。学生毕业后能从事固体电子与微电子领域的设计和开发研究工作，具有本专业宽厚的理论基础和系统的专门知识。本专业具有博士学位授予权，设有博士后流动站，现有七位博士生导师，并与国内外知名企业、高校有着广泛联系，另设有专项研究生奖学金。

三、硕士期间主要课程及论文要求：
1、除学习公共基础课外，固体电子技术方向，主要学位课有：薄膜理论与技术、晶体物理以及敏感材料与传感器、微机械系统等选修课；微电子技术方向，主要学位课有半导体理论微电子器件模型以及半导体传感器、半导体新型器件，大规模集成电路设计、测试、模拟、仿真等有关选修课。
2、硕士期间要求发表论文1～2篇。

四、近年来主要科研项目和成果：

近年来先后完成国家攻关项目、863项目、国家重点及面上自然基金项目以及各部委、省市下达项目几十项，总经费1千多万元。现正承担国家级、各部委级、省市级项目二十余项，总经费约1000万元。

五、就业方向：

本专业培养具有扎实的专业理论基础以及系统化专门知识的、全面发展的高层次、高素质、富有创造性的高级工程技术人才。硕士生毕业后能胜任在与本学科相关的领域从事技术开发、研究以及高校教学工作，并可继续攻读国内外相关学科及交叉学科的博士学位。

关于微电子学与固体电子学专业考研的考试内容和参考书的介绍。
    813半导体物理或电介质物理
本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

参加半导体物理考试的考生参考，考试的内容
1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；
4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响； 第二部分：（50%）
7、双极晶体管的基本结构、原理，少数子分布，低频电流增益和非理想效应；
8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性；
9、MOSFET的基本结构、原理，阈值电压，电流电压关系，击穿特性和频率特性；
10、MOSFET的非理想特性：亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应；
11、光器件与功率器件的原理、特点与应用

参考书目

半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。晶体管原理与设计，陈星弼、张庆中等，电子工业出版社。

参加电介质物理考试的考生参考，考试的内容
1、恒定电场中电介质的极化
（1）介电常数和介质极化；
（2）有效电场；
（3）克-莫方程及其应用；
（4）极性液体介质的有效电场；
（5）电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。
2、恒定电场中电介质的电导
（1）气体介质的电导；
（2）液体介质的电导；
（3）固体介质的电导-固体介质的离子电导；
（4）固体介质的表面电导；
（5）直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
3、交变电场中电介质的损耗
（1）复介电常数和复折射率；
（2）介质损耗；
（3）弛豫现象；
（4）德拜方程；
（5）柯尔-柯尔圆弧律；
（6）介质损耗与温度的关系；
（7）计及漏电导时的介质损耗；
（8）有损耗电介质的等效电路。

参考书目
1、《电介质物理导论》，李翰如，成都科技大学出版社；
2、《电介质物理基础》，孙目珍，华南理工大学出版社；
3、《电介质物理》，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。

教材是复习的根本材料，也是答题的根本依据，考生在选择教材时应参照两个标准：一要准确。这里所说的准确不单指知识点无误，而且还指该教材为报考院校所指定的教材，或是有关导师主编、参与编写的教材，或是该院校学生使用的教材。二要新颖。目前教材更新较快，所以大家要密切关注新版教材的，尽可能以新教材为准。 
       另外两科：811电路、839物理化学  相关资料请点击查看

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