考天津大学813半导体物理考研的童鞋们，小编今天给大家带来了有关天津大学813半导体物理考研的新消息。由于中国半导体产业得到国家的支持，整个集成电路产业蓬勃发展，信息学院微电子学与固体电子学专业以及集成电路专业就业情况乐观，第一个来天大招收得往往是华为公司，而且天津本地的半导体产业公司非常重视从天大毕业的研究生，有中国集成电路设计界的泰斗展讯科技，与展讯背景相似的锐迪科，还有天津飞思卡尔公司。总的来说天津大学的就业和薪资水平都非常不错，是不是看小编分享的这些，就更加坚定自己的目标了。小编为了让各位童鞋实现目标，帮忙找来了天津考研网主编的《天津大学813半导体物理考研全套复习资料》非常齐全的复习辅助资料，包含专业详细介绍以及参考书重点知识划分讲解，真题答案以及解析是独立成册的，甚至内部题库也是最全面的版本哦！各位童鞋备考过程中，关键在于坚持，有人统计考研大军80%都出现自我淘汰，但每年的录取率却超过了20%，战胜自己就是战胜考研，不气馁，不放弃！

要小编说，最有意义的还是录取分数线了，小编就向大家说说，天津大学813半导体物理考研的报录比比较稳定，其中09年微电子学与固体电子学报考人数242，录取48人，报录比为19.83%;13年微电子学与固体电子学专业复试分数线333，集成电路专业330，学校最低录取分数线是330;14年微电子学与固体电子学专业复试分数线326，集成电路工程325，学校最低录取分数是325;15年微电子与固体电子专业复试分数326，集成电路工程326，学校最低录取分数线也是326。所以大家关键要保证各科都能过线，尤其是英语，保证考过50分。俗话说“帮人帮到底，送佛送到西”接下来小编就该跟大家分享考研参考书籍了。

小编要跟大家分享的天津大学813半导体物理考研的参考书分别是：(1)半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社;(2)半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。这两本书天津考研网专门为考研学子精心打造的，是复习必备的备考材料，这两本参考书对于考研的你们怎么够，小编找来比较全面，能帮助你们更好地备考的资料：《天津大学813半导体物理考研全套复习资料》 这本资料是检查复习状态和复习进度的利器，让你在备考中及时查缺补漏，随时进步。各位童鞋，人生之光荣，不在永不失败，而在屡仆屡起，备考时希望一次次落空，你也要坚定，要沉着。

考研大纲对于备考的你们来说也是至关重要，小编怎么可能会忘记跟大家分享呢？下面就是小编给大家找来的天津大学813半导体物理考研大纲：
本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：
一、考试的总体要求
本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、双极晶体管、MOS晶体管等基本原理和应用。
二、考试的内容及比例
（一）考试内容要点：
第一部分：（50%）
1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；
4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响；
第二部分：（50%）
7、双极晶体管的基本结构、原理，少数子分布，低频电流增益和非理想效应；
8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性；
9、MOSFET的基本结构、原理，阈值电压，电流电压关系，击穿特性和频率特性；
10、MOSFET的非理想特性：亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应；
11、光器件与功率器件的原理、特点与应用
（二）比例：
两部分考试内容各占50%。
三、试卷题型及比例
1、概念与问答题：40%；
2、论述题：30%；
3、计算与推导题：20%；
4、实验与综合题：10%。
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。
五、参考书目
半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。
晶体管原理与设计，陈星弼张庆中等，电子工业出版社。
第二部分：电介质物理大纲（参加电介质物理考试的考生参考）：
一、考试的总体要求
本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念，并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。
二、考试的内容及比例
考试具体范围如下：
1、恒定电场中电介质的极化
（1）介电常数和介质极化；
（2）有效电场；
（3）克-莫方程及其应用；
（4）极性液体介质的有效电场；
（5）电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。
2、恒定电场中电介质的电导
（1）气体介质的电导；
（2）液体介质的电导；
（3）固体介质的电导-固体介质的离子电导；
（4）固体介质的表面电导；
（5）直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
3、交变电场中电介质的损耗
（1）复介电常数和复折射率；
（2）介质损耗；
（3）弛豫现象；
（4）德拜方程；
（5）柯尔-柯尔圆弧律；
（6）介质损耗与温度的关系；
（7）计及漏电导时的介质损耗；
（8）有损耗电介质的等效电路。
三、试卷类型及比例
1、名词辨析题：20%
2、填空题：20%
3、简答题：40%
4、综合题：20%
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时（满分150分）。
五、参考书目
1、《电介质物理导论》，李翰如，成都科技大学出版社；
2、《电介质物理基础》，孙目珍，华南理工大学出版社；
3、《电介质物理》，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。

天津大学813半导体物理考研大纲就酱紫了，上面将天津大学813半导体物理考研参考书及真题解析资料也全部都分享了。剩下的就是大家自己努力奋斗！考研的成功是呈概率分布的，就看各位童鞋能不能将坚持到成功开始呈现的那一刻。别忘了小编向大家推荐天津考研网主编的《天津大学813半导体物理考研全套复习资料》它能帮助各位童鞋很好的备考。最后小编告诫大家：不到最后时刻，永远不要放弃，不到最后胜利，永远不要点以轻心。加油！

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