2019年天津工业大学半导体物理考研考试业务课考试大纲公示

2019年天津工业大学半导体物理考研考试业务课考试大纲公示为大家整理发布。天津工业大学1V1考研复试指导、调剂指导请联系倩倩学姐QQ：2852358027  研哥微信：xdfxk2014天津考研网QQ：394999530

科目编号：0502                                          科目名称：半导体物理
一、考试的总体要求
半导体物理为微电子学与固体电子学专业基础课，考试总分为100分。
半导体物理要求学生熟练掌握半导体物理的基本理论、基本概念和方法，为进一步学习半导体器件理论研究、器件制备、工艺和器件仿真，和集成电路设计等研究方向打下基础。
二、考试的内容及比例
考试内容如下：（总计100分）
1、半导体的晶体结构：半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、半导体载流子的统计分布：包括热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系；
4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、半导体金－半接触：功函数、亲和势，阻挡层及反阻挡层，整流接触，欧姆接触；
7、半导体MOS结构：表面电场效应，平带电压，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响；
8、半导体异质结：异质结概念及基本异质结的能带图；
9、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；
10、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用。
三、试卷的题型及比例
考试题型包括名词解释(25分)、简答题（40分）、综合题（35分）。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试，时间为100分钟。
五、主要参考教材
1．刘恩科等编，《半导体物理学》第七版，电子工业出版社
2．曹培栋编著，《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》，电子工业出版社