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    天津大学813半导体物理或电介质物理2017年考研大纲信息
天津大学813半导体物理或电介质物理2017年考研大纲信息
责任编辑:教研助理1  作者:教研助理…  来源:天津大学   更新时间:2015-9-18 15:41:16

813半导体物理或电介质物理

本考试课程由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
 第一部分:半导体物理考试大纲(参加半导体物理考试的考生参考):
一、考试的总体要求 本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、双极晶体管、MOS晶体管等基本原理和应用。
二、考试的内容及比例
(一)考试内容要点: 第一部分:(50%)
1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;
2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;
3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;
4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;
5、p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;
6、MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性,MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响; 第二部分:(50%)
7、双极晶体管的基本结构、原理,少数子分布,低频电流增益和非理想效应;
8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性;
9、MOSFET的基本结构、原理,阈值电压,电流电压关系,击穿特性和频率特性;
10、MOSFET的非理想特性:亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应;
11、光器件与功率器件的原理、特点与应用
(二)比例: 两部分考试内容各占50%。

三、试卷题型及比例
1、概念与问答题:40%;
2、论述题:30%;
3、计算与推导题:20%;
4、实验与综合题:10%。
四、考试形式及时间 考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。
五、参考书目 半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。 半导体物理与器件,(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社。 晶体管原理与设计,陈星弼 张庆中等, 电子工业出版社。

第二部分:电介质物理大纲(参加电介质物理考试的考生参考):
一、考试的总体要求 本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念,并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。
二、考试的内容及比例
考试具体范围如下:
1、恒定电场中电介质的极化
(1)介电常数和介质极化;
(2)有效电场;
(3)克-莫方程及其应用;
(4)极性液体介质的有效电场;
(5)电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。
2、恒定电场中电介质的电导
(1)气体介质的电导;
(2)液体介质的电导;
(3)固体介质的电导-固体介质的离子电导;
(4)固体介质的表面电导;
(5)直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
3、交变电场中电介质的损耗
(1)复介电常数和复折射率;
(2)介质损耗;
(3)弛豫现象;
(4)德拜方程;
(5)柯尔-柯尔圆弧律;
(6)介质损耗与温度的关系;
(7)计及漏电导时的介质损耗;
(8)有损耗电介质的等效电路。
三、试卷类型及比例
1、名词辨析题:20%
2、填空题:20%
3、简答题:40%
4、综合题:20%
四、考试形式及时间 考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150分)。
五、参考书目
1、《电介质物理导论》,李翰如,成都科技大学出版社;
2、《电介质物理基础》,孙目珍,华南理工大学出版社;
3、《电介质物理》,张良莹、姚熹,西安交通大学出版社。

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