一．半导体中的电子状态
    １.原子中的能级和固体中的能带
    电子的共有化运动；能带的形成；sp3轨道杂化
    ２.半导体中的电子状态和能带
    波函数特性；E(k)~k关系及布里渊区；k空间概念及其态密度；Si，Ge，GaAs的第一布里渊区
    ３.半导体中电子的运动
    共有化运动速度；加速度；电子的有效质量；半导体、绝缘体和导体的区别
    ４.空穴
    空穴的定义；空穴的特征参数
    ５常见半导体的等能面和能量极值
    k空间等能面；多极值情况
    ６.Ge Si GaAs的能带
    导带结构；价带结构
    ７.杂质和杂质能级
    杂质存在方式；杂质能级；杂质补偿；等电子杂质；Ⅲ-Ⅵ族化合物中的杂质
    二．热平衡载流子浓度
    １.分布函数
    费米分布；玻尔兹曼分布
    ２.状态密度
    能量态密度函数
    ３.平衡载流子浓度公式（非简并）
    电子和空穴浓度；浓度积np
    ４.本征半导体的载流子浓度与费米能级
    ５.杂质半导体的载流子浓度与费米能级
    电子在杂质能级上的分布；不同温度区间的n,p和Ef
    ６.杂质补偿半导体的载流子浓度
    ７.简并半导体
    简并半导体概念；简并条件
    三．弱场下载流子的运动
    １.载流子的散射和迁移率
    漂移速度，迁移率，电导率；平均自由时间，散射几率
    ２.散射机构
    晶格振动；晶格散射；电离杂质散射
    ３.迁移率；电导率
    μ~τ的关系； σ~τ的关系；电导有效质量；迁移率，电导率与Ni和温度T的关系
    ４.霍耳效应
    霍耳系数；霍耳角；两种载流子同时导电时的霍耳效应；霍耳效应的实际应用
    ６.磁阻现象
    物理磁阻；几何磁阻
    ７.电导，霍耳效应的统计分布
    玻尔兹曼方程；弱场情况的分布函数；球形等能面半导体的电导率；霍耳系数的统计
    <!--[if !supportLists]-->四．         <!--[endif]-->非平衡载流子及其复合
    １.非平衡载流子的产生
    非平衡态；非平衡载流子的复合和寿命；准费米能级
    ２.平衡载流子的扩散运动
    扩散电流；非平衡载流子的扩散分布
    ３.非平衡载流子的漂移电流和扩散电流
    非平衡载流子的漂移和扩散；爱因斯坦关系
    ４.电流连续性方程
    ５．非平衡载流子的复合过程
    直接复合；间接复合； 表面复合；俄歇复合；陷阱效应
    五．P-N结
    １.P-N结 的结构
    ２.平衡P-N结的特性
    空间电荷区；内建电场；能带，费米能级；P-N结接触电势差；势垒区的载流子分布
    ３.P-N结的电场和电位分布及势垒区宽度
    突变结势垒区的电场，电位；线性缓变结势垒区的电场，电位
    ４.P-N结的电流电压特性
    非平衡P-N结的变化；理想P-N结电流电压方程；P-N结偏离理想方程的因素（势垒区的产生电流；势垒区的复合电流；正向大注入效应；实际的I-V曲线）
    ５.P-N结电容
    势垒电容；扩散电容
    ６.P-N结击穿
    雪崩击穿；隧道击穿；热击穿
    ７.异质结
    理想异质结的能带图；电势，结宽和电容；界面态的影响
    六．半导体表面
    １.表面电场效应
    表面电荷的五种状态
    ２.表面空间电荷区的电场，电势，电容
    ３.理想MOS结构的C（V）特性
    ４.实际MOS结构的C（V）特性
    金属与半导功函数差的影响；氧化层固定电荷的影响；可动电荷的影响；界面态的影响
    ５.金属半导体接触
    理想肖特基模型；巴丁模型；肖特基势垒的整流特性；肖特基结特点；欧姆接触
    七．半导体的光学性质
    1．本征吸收
    直接跃迁吸收；间接跃迁吸收；激子吸收；自由载流子吸收；杂质吸收；晶格吸收
    ２.半导体的光电导
    定态光电导；光电导的弛豫
    ３.半导体光生伏特效应
    ４.半导体发光
    辐射复合跃迁；非辐射复合跃迁
    ５.半导体激光
    半导体受激发射的条件；P-N结激光器
    八．强电场效应
    １.强电场下的非线性电导
    热载流子，晶格温度；非线性电导
    ２.表面量子化
    ３.半导体超晶格和多量子井

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