天津理工大学半导体物理考研大纲2018年与2019年对比一览表
天津理工大学半导体物理2019年考研大纲已经公布，但是考研的同学都清楚何如利用吗？考研大纲是目标院校唯一官方指定的硕士研究生入学考试命题的唯一依据，是规定研究生入学考试相应科目的考试范围、考试要求、考试形式、试卷结构等权威指导性文件。考研大纲作为唯一官方的政策指导性文件在专业课备考中的作用是不言而喻的。
然而，各大高校的考试大纲均在9月中旬左右才公布，对参照前一年的考研大纲已经复习大半年的莘莘学子来说可谓姗姗来迟。借此，我们天津考研网特别推出考研大纲的对比、变化情况的系列专题，及时反映相关的考研动态，以此来消除学子们的复习误区；使学子们尽早捕捉到官方的细微变化。为考研之路保驾护航！
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天津理工大学半导体物理2018年大纲 |
天津理工大学半导体物理2019年大纲 |
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一、考试科目：半导体物理 (809)
二、考试方式：考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。
三、试卷结构与分数比重：
填空及选择题：20%；简答题：20%；综合题：60%。
四、 考查的知识范围:
1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。
3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。
4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。
5．PN结（15％）：PN结及其能带图，PN结电流电压特件。
6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注人，欧姆接触。
7.半导体表面与MIS结构（15％）：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO2系统的性质，表面电导。
五、参考书目：
见2015年研究生招生专业目录 |
一、考试科目：半导体物理 (809)
二、考试方式：考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。
三、试卷结构与分数比重：
填空及选择题：20%；简答题：20%；综合题：60%。
五、 考查的知识范围:
1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。
3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。
4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。
5．PN结（15％）：PN结及其能带图，PN结电流电压特件。
6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注人，欧姆接触。
7.半导体表面与MIS结构（15％）：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO2系统的性质，表面电导。
五、参考书目：
见2015年研究生招生专业目录
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变化情况：无变化 |
以上是天津理工大学半导体物理2018年与2019年考研大纲的对比情况，从对比文件可以看出，天津理工大学半导体物理的考研大纲没有发生变化。所以，报考目标院校目标专业的研友们可以安心的按照已定的专业进行有计划的复习备考。
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